摘要：
电阻率（英语：resistivity），也称为体积电阻率或比电阻，是材料的特性，用于测量其电阻或抵抗电流的能力。 低电阻率表示材料容易通过电流。 电阻率通常用希腊字母ρ表示。电阻率的SI单位是欧姆·米（Ω· m）。例如，如果7000100000000000000♠1 m3实心立方体材料在两个相对面上。...
电阻率（英语：resistivity），也称为体积电阻率或比电阻，是材料的特性，用于测量其电阻或抵抗电流的能力。 低电阻率表示材料容易通过电流。 电阻率通常用希腊字母ρ表示。电阻率的SI单位是欧姆·米（Ω· m）。例如，如果7000100000000000000♠1 m3实心立方体材料在两个相对面上。
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550 °F），电阻率约为112 μΩ–cm，比铜的电阻率1.678 μΩ-cm，高约 66 倍。 几乎任何导线都可以用於加热，但大多数金属的导电效率很高，需要將它们制成非常细而精致的导线，以产生足够的电阻来产生热量。当在空气中加热时，大多数金属会迅速氧化、变脆並破裂。镍铬合金丝加热到赤热温度时，。
5 5 0 ° F ） ， dian zu lv yue wei 1 1 2 μ Ω – c m ， bi tong de dian zu lv 1 . 6 7 8 μ Ω - c m ， gao yue 6 6 bei 。 ji hu ren he dao xian dou ke yi yong yu jia re ， dan da duo shu jin shu de dao dian xiao lv hen gao ， xu yao 將 ta men zhi cheng fei chang xi er jing zhi de dao xian ， yi chan sheng zu gou de dian zu lai chan sheng re liang 。 dang zai kong qi zhong jia re shi ， da duo shu jin shu hui xun su yang hua 、 bian cui 並 po lie 。 nie ge he jin si jia re dao chi re wen du shi ， 。
带。因此，即使对这些物质施加很大的电压，产生的电流仍旧很小。 碳膜电阻 金属氧化膜电阻 精密电阻 绕线电阻 水泥电阻 固定瓷管电阻 低感瓷管电阻 铝壳精密电阻 光敏电阻：收到光线改变就会跟著改变电阻值的电阻 热敏电阻 压敏电阻 金属是一群原子以晶格结构形成的晶体，每个原子都拥有一层（或多层）由电子。
电阻率（英语：Resistivity），又称电阻系数，是描述材料导电性能的物理量。 电阻率在数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的导电度]。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。 电阻率在国际单位制的单位是Ω·m，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆·米”。。
一硅化钴（CoSi）是一种钴的硅化物，可由硅烷基四羰基钴（Co(CO)4SiH3）的热分解得到。它是一种抗磁性半金属，具有约1毫欧·厘米的电阻率。其热稳定性不如Co3Si，但比CoSi2高。 Dutta, Paromita; Pandey, Sudhir K. Effects of correlations。
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物质在一定磁场下电阻改变的现象，称为“磁阻效应”，磁性金属和合金材料一般都有这种磁电阻现象，通常情况下，物质的电阻率在磁场中仅产生轻微的减小；在某种条件下，电阻率减小的幅度相当大，比通常磁性金属与合金材料的磁电阻值约高10余倍，称为“巨磁阻效应”（GMR）；而在很。
金属特性。在化合物K0.28MoO3中，钼的氧化态为+5.72。 钼青铜自20世纪80年代以来，由于其层状结构展现出的各向异性电学性质而被广泛研究构。电阻率因方向的不同而产生相当大地变化，在一些情况下可以达到200：1甚至更多。它们通常是非整比化合物。它们可以呈现出金属或半导体的性质。。
硅化铽是稀土金属铽与硅的化合物，化学式为TbSi2。在20世纪50年代中后期，第一次详细描述了这种灰色固体。 在N型半导体中，它的金属电阻率和低肖特基势垒使得它有潜力在实际中应用，例如在红外探测器，欧姆接触，磁阻器件和热电设备上。 在16K时具有反磁性。 Perri, John A.; Binder。
Schlumberger）被认为是电法测井创始人。Conrad发明了勘探金属矿藏的斯伦贝谢排列法，然后兄弟俩将此方法应用到地下。1927年10月5日，斯伦贝谢全体工作人员在法国Pechelbronn将一个电极系下入488米的井中，成功地测量出第一条测井曲线。在现代模式下，这第一条曲线是电阻率曲线，可被描述成3.5米的侧向测井曲线。。
电学性质包括电导率、电阻率、阻抗及电容，金属及合金是电的导体，而玻璃及陶瓷是电的绝缘体，前者电导率高，后者电导率低，而半导体介於二者之间。金属的导电是因为其中的电子，半导体的导电是电子和电洞，而快离子导体（英语：Fast ion conductor）的导电性是由离子造成。 大部份导体的电阻率。
金属钛在 1500 °C化合而成。它是一种非整比化合物，实验式 TiO0.7 至 TiO1.3。这是由缺陷岩盐结构中的Ti或O的空位引起的. 在纯TiO中，Ti和O位的15％都处于空位状态。 小心地退火会导致空位有序，从而产生单斜晶型，该单斜晶型在原始电池中具有5个TiO单元，表现出较低的电阻率。。
世纪后，部分西方国家流通的小额硬幣採用白铜材质，当用於硬幣时，与镍的比重约为3：1，並混入少量的锰。 由於白铜的强度坚硬和可塑性高、抗腐蚀性较好、电阻率较高、不生锈等性质，主要用于装饰品、给水器具、仪器器械和货币的制造。白铜的耐腐蚀性也包括在海水使用的情况，因此热交换器与冷凝管中也普遍的使用白铜作为设备材料。。
电动车辆、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制。传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种电晶体结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高电流单柵控制特性及双极性。
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=\sigma \mathbf {E} \,\!} 。 有些物质会有异向性 (anisotropic) 的电导率，必需用 3 X 3 矩阵来表达（使用数学术语，第二阶张量，通常是对称的）。 电导率是电阻率 ρ {\displaystyle \rho \,\!} 的倒数。在国际单位制中的单位是西门子／公尺 (S·m-1)：。
1842年，楞次独立于英国物理学家焦耳确定了电流与其所产生的热量的关系，也就是焦耳定律，因此焦耳定律也被称为焦耳－楞次定律。楞次还研究了不同金属的电阻率，以及电阻率与温度的关系。 除此之外，在楞次的倡导与协助下，1845年成立了俄国地理学会。 楞次定律 德语人名Lenz在现代人名翻译中译作“伦茨”，但在指该物理学家时约定俗成译作“楞次”。
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近藤效应（Kondo effect）是指在高电导无磁金属母体中磁性杂质原子对传导电子散射几率的增大。 在某一特征温度TK（所谓近藤温度）以下，稀磁合金的剩余电阻率随温度的降低而反常增大。1964年，近藤淳从理论上阐明了该效应的形成机制：由于孤立磁性原子与传导电子之间存在RKKY相互作用，围绕磁性原。
二氢化镱是镱的氢化物，化学式为YbH2，其中镱为+2价，氢为-1价。它在室温下的电阻率为107Ω·cm。它有较高的热稳定性。 二氢化镱可由金属镱和氢气反应得到： Yb + H2 → YbH2 洪广言. 现代化学基础丛书 第36卷 稀土化学导论. 北京: 科学出版社, 2014. pp. 57-59。
薄膜电阻(sheet resistance)，又被称为方块电阻、方阻，是具有均匀厚度薄膜电阻的量度，通常被用作评估半导体掺杂的效果。使用这种概念的例子有：半导体的掺杂领域（比如硅或者多晶硅），以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。薄膜电阻的概念与电阻或者电阻率。
pm）。铼原子占据顶点，氧原子占据所有棱心。铼配位数为6，氧为2。接近钙钛矿的结构。 相较于一般氧化物，三氧化铼电阻率不寻常地低。与金属相似，其电阻率随温度降低而降低。300 K时，其电阻率为100.0 nΩ·m，而在100 K，下降到6.0 nΩ·m。 三氧化铼化学性质不活泼。不溶于水、稀盐酸和稀。
此可用于实验室和生产环境中使用的电熔炉，生产玻璃、钢、电子元件、陶瓷等，以及对材料进行热处理。二硅化钼虽然具有脆性，但可以在高功率操作下不老化，其电阻率不随时间改变。在低氧环境下，由于钝化层不易形成，所以最大工作温度要有所降低。 除了二硅化钼，碳化硅、钛酸钡、钛酸铅等复合材料也可作为电热陶瓷材料。。
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